Сетевое издание «Дагестанская правда»

10:00 | 07 мая, Пт

Махачкала

Weather Icon

Перспективные исследования

A- A+

В Дагестанском государственном техническом университете состоялась всероссийская научно-техническая конференция «Полупроводниковые материалы в современной микро– и наноэлектронике», посвященная памяти д.ф.-м.н., профессора Билала Аруговича Билалова, многие годы возглавлявшего НИИ «Микроэлектроника и нанотехнологии» технического университета.

В конференции, проходившей в очно-дистанционном формате, принимали участие представители известных вузов и научных организаций России, имеющих мощные школы по микроэлектронике и нанотехнологиям. Среди них Кабардино-Балкарский государственный университет имени Х.М. Бербекова, Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Национальный исследовательский Мордовский государственный университет имени Н.П. Огарева, Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС», Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ», Объединенный институт высоких температур, Объединенный институт ядерных исследований, Пензенский государственный университет, Приднестровский государственный университет имени Т.Г. Шевченко, Северо-Кавказская государственная академия, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» имени Ульянова (Ленина), Чеченский государственный университет.

Открыл пленарное заседание проректор по научной и инновационной деятельности ДГТУ Гамид Ирзаев. Он ознакомил присутствующих с программой конференции и пригласил всех желающих ознакомиться с экспозицией запатентованных разработок ученых и молодых исследователей ДГТУ. На развернутой в музейно-выставочном комплексе экспозиции были представлены достижения в виде макетов, моделей и действующих образцов, реализованных в области машиностроения, медицинского приборостроения, IT-технологий, микроэлектроники, нефтегазовой отрасли, пищевой промышленности и строительства.

Ректор ДГТУ Нурмагомед Суракатов отметил, что именно микро– и наноэлектроника на сегодняшний день охватывают практически все направления развития и сферы жизнедеятельности человека – от разработок полупроводниковых транзисторов и лазеров, фотодетекторов, солнечных элементов, различных сенсоров вплоть до авиационных, космических и оборонных приложений. Глава вуза также подчеркнул, что ключевой задачей конференции является укрепление междисциплинарных связей в научном сообществе, активное вовлечение в научный процесс магистрантов, аспирантов, содействие интеграции науки и промышленности по созданию наукоемких полупроводниковых материалов для микро– и наноэлектроники.

Президент Нанотехнологического общества России, д.т.н., профессор Виктор Быков выступил с докладом, посвященным современным возможностям сканирующей зондовой микроскопии: от изучения структур микро– и наноэлектроники до медицинской диагностики. Он рассказал о преимуществах этих уникальных по своим возможностям приборах, позволяющих рассмотреть отдельные молекулы и атомы, при этом имеется возможность изучать объекты, не разрушая их.

О возможности уточнения механизма орбитального и спинового упорядочения в янтеллеровских кристаллах говорил член-корреспондент РАЕ, профессор Северо-Кавказской государственной академии Хиса Борлаков.

Научный сотрудник Объединенного института ядерных исследований в Дубне Владимир Кручонок выступил с докладом «Радиационная стойкость полупроводниковых детекторов «арсенид галлия-хром» к облучению электронами и быстрыми нейтронами».

Интересное сообщение сделал научный сотрудник Национального исследовательского ядерного университета «МИФИ» Александр Гусев. Он раскрыл преимущества, этапы развития и перспективные направления радиофотоники, являющейся основой современной высокоскоростной связи, в особенности оптоволоконных сетей, а также радиолокационных комплексов различного применения.

На конференции выступили также представители Дагестанского государственного университета, Института физики ДФИЦ РАН, Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета.

Проведение конференции следует признать очень актуальным и своевременным. В последнее время отмечается расширение сферы исследований новых, перспективных материалов для микроэлектроники следующего поколения, а также развитие таких направлений, как фотонные кристаллы, которых ранее не было в микроэлектронике.

Большим достоинством конференции явилось привлечение к её работе молодых исследователей, аспирантов и магистров ДГТУ и ДГУ. Пленарное и секционное заседания посетили десятки студентов, которые явились свидетелями не только научных докладов высокого уровня, сделанных известными учеными и специалистами, но и участвовали в плодотворных дискуссиях по актуальным проблемам физики полупроводников. Из сделанных докладов и их обсуждения были определены перспективы и направления развития как теоретических исследований новых полупроводниковых материалов, так и практические задачи разработки и проектирования инновационных изделий экстремальной электроники.

Доклады отличались высоким научным уровнем, затрагивали вопросы теории и практического применения новых полупроводниковых материалов, вызывали оживленные дискуссии с участием как очных, так и онлайн-участников. Научные школы дагестанских вузов и научных организаций подтвердили еще раз, что в республике проводятся перспективные исследования в области микроэлектронных материалов, квантовых эффектов и нанотехнологий.

Следите за нашими новостями в Facebook, Instagram, Vkontakte, Odnoklassniki

Статьи из рубрики «Общество»