За фундаментальные исследования
Профессор Г.К.Сафаралиев известен научной общественности как крупный специалист в области широкозонных полупроводников.
Он является первопроходцем в создании новой группы полупроводников — широкозонных твердых растворов на основе карбида кремния. Им создана научная школа по направлению «физика и технология широкозонных твердых растворов на основе карбида кремния». Ему принадлежит приоритет в разработке технологии получения твердых растворов в системах SiC-AlN, SiC-BeO, SiC-карбиды переходных металлов различными методами (сублимационная эпитаксия, жидкостная и электрожидкостная эпитаксии, магнетронное распыление). Подготовлено 23 кандидата и 5 докторов наук. Им совместно с учениками получены ряд новых фундаментальных результатов, позволяющих расширить знания в области физики, технологии и термодинамики многокомпонентных полупроводниковых растворов. Опубликовано более 370 научных трудов в известных российских и зарубежных журналах.
Профессор Г.К.Сафаралиев является научным руководителем научно-исследовательского института микроэлектроники и нанотехнологий, созданного при Дагестанском государственном техническом университете. Под его руководством в ДГТУ созданы научно-исследовательские лаборатории, в которых на современном технологическом и аналитическом оборудовании получают новые материалы, используемые в производстве приборов экстремальной электроники.
Он является крупным организатором науки. Под его руководством и при его непосредственном участии проведен ряд крупных Всесоюзных и Международных симпозиумов. Он является одним из инициаторов и руководителей региональной программы развития высшей школы.
За заслуги в науке ему присвоено: звание заслуженный деятель науки Республики Дагестан, заслуженный деятель науки Российской Федерации. Является лауреатом премии Правительства Российской Федерации в области образования. Награжден орденами Дружбы, За заслуги в развитии парламентаризма в России.
Активно занимался разработкой законов:
— Закон о русском языке как государственном языке РФ (закон принят);
— подготовлены проекты законов — поправки к закону «О науке и научно- технической политике РФ» и к закону «Об образовании в части дистанционного образования» (закон принят);
— возглавляет совместную группу из представителей Минпромнауки, Минобразования, Роспатента по подготовке законов «Об инновационной деятельности».
Опубликовано по законотворческой деятельности 12 статей в ведущих российских журналах, а также выпущены 2 монографии:
1. «Законодательные основы инновационной деятельности в РФ».
2. «Наука как отрасль права».
За плодотворную законотворческую деятельность награжден Почетной грамотой фракции Единство (в числе 5 других представителей фракции).
В настоящее время является заместителем Председателя Комитета ГД РФ по образованию.
Из 49 поправок, поданных к закону «О бюджете» прошли 46, в том числе надбавки за степень научным сотрудникам научных подразделений вузов, отраслевых НИИ и Академий наук (государственные — РАН, РАНН, РАСХ и т.д.). Проведена поправка и с 1 января 2003 г. финансируется надбавка за звание академика и членкора большой Академии и др. 5 государственных Академий наук.
Полностью индексированы с учетом инфляции за год бюджеты государственных научных фондов (РФФИ, РГНФ и Фонд Бортника).
Ученый Совет Дагестанского государственного технического университета 28 февраля 2008г. на своем заседании выдвинул кандидатуру научного руководителя НИИ «Микроэлектроники и нанотехнологий» при ДГТУ д.ф-м.н., профессора Сафаралиева Г.К. для участия в конкурсе на члена-корреспондента Российской академии наук.
28 мая 2008 г. общим собранием Российской академии наук профессор Г.К.Сафаралиев избран членом-корреспондентом по отделению «Нанотехнология и информационные технологии».